硅红外焦点注册的特点

　　硅红外焦点注册旨在降低直拉硅单晶氧含量，提高硅红外焦点注册透过率的硅片热处理工艺。其特征是将硅片在400-1000℃温度间的四段温区逐步升温并保温适当时间并在硅片冷却至850℃以下时取出，处理后的直拉硅单晶片在9um处的透过率接近或达到区熔硅单晶的水平，用热处理后的廉价直拉硅单晶片制造的红外焦点注册，可满足红外仪器设备所需红外焦点注册的要求，大大降低了焦点注册的成本。

　　硅红外焦点注册的热处理工艺，包括硅片的切、磨、抛光和腐蚀清洗及热处理用石英炉管的HCl处理，它的特征在于：1.在炉温低于400℃时，装入硅片，2.将炉温升至400-550℃，保温10-30小时;然后升温至700-800℃，保温10-30小时，再升温至800-900℃，保温2-5小时，最后升温至900-1000℃，保温2-5小时，3.在炉温降至850℃以下时，取出硅片。